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3109Z

3109Z Multi-Conductor - EIA Industrial RS-485 PLTC/CMG

BELDENBelden Inc.

百通電纜設(shè)計(jì)科技有限公司

AMS3109

Micropower700mALowNoiseFastTransientResponseLDO

AMS

Advanced Monolithic Systems

AMS3109

CurrentLimitprotection

ADMOS

Advanced Monolithic Systems

AMS3109S

CurrentLimitprotection

ADMOS

Advanced Monolithic Systems

AN3109

UsingtheMulti-Axisg-SelectEvaluationBoards

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BX3109

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

BYF3109

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

CEM3109

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■-30V,-8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEM3109

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

FEATURES 30V,10A,RDS(ON)=14mW@VGS=10V. RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant. -30V,-8A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. RDS(ON)=30mW@VGS

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU3109

DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

FEATURES 30V,22A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant. -30V,-18A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. RDS(ON)=30mW@VGS

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更多3109Z供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 9:32:00