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3252-N	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	3.65 MHz Notch Frequency	KR KR Electronics, Inc.	KR
ADM3252E	文件：435.33 Kbytes Page：16 Pages	Isolated,DualChannel,RS-232LineDriver/Receiver GENERALDESCRIPTION TheADM3252Eisahighspeed,2.5kV,fullyisolated,dual- channelRS-232/V.28transceiverdevicethatisoperationalfromasingle3.3Vor5Vpowersupply.BecauseofhighESDprotectionontheRIN1,RIN2,TOUT1,andTOUT2pins,theADM3252Eisideallysuitedforoperatio	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADM3252E	文件：352.31 Kbytes Page：16 Pages	Isolated,DualChannel,RS-232LineDriver/Receiver	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADM3252E	文件：738.14 Kbytes Page：4 Pages	DigitalIsolatorProductSelectionandResourceGuide	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADM3252EABCZ	文件：352.31 Kbytes Page：16 Pages	Isolated,DualChannel,RS-232LineDriver/Receiver	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADM3252EABCZ	文件：435.33 Kbytes Page：16 Pages	Isolated,DualChannel,RS-232LineDriver/Receiver GENERALDESCRIPTION TheADM3252Eisahighspeed,2.5kV,fullyisolated,dual- channelRS-232/V.28transceiverdevicethatisoperationalfromasingle3.3Vor5Vpowersupply.BecauseofhighESDprotectionontheRIN1,RIN2,TOUT1,andTOUT2pins,theADM3252Eisideallysuitedforoperatio	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AFG3252C	文件：342.01 Kbytes Page：8 Pages	ArbitraryFunctionGenerators	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AFG3252C	文件：718.23 Kbytes Page：14 Pages	Arbitrary/FunctionGenerators ProductDescription Unmatchedperformance,versatility,intuitiveoperation,andaffordabilitymaketheAFG3000CSeriesofFunction,ArbitraryWaveform,andPulseGeneratorsthemostusefulinstrumentsintheindustry. Features&Benefits ■10MHz,25MHz,50MHz,100MHz,or240MHzSineW	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中國)有限公司	TEKTRONIX
B3252	文件：200.59 Kbytes Page：25 Pages	LasermarkingforEPCOSfilmcapacitorsfromNashikandZhuhai	TDKTDK Corporation TDK株式會社東電化（中國）投資有限公司	TDK
B3252X	文件：588.09 Kbytes Page：11 Pages	MKTCapacitors MKTCapacitors metalizedpolyesterfilmcapacitorsinaccordancewithDIN44112VR=63to630Vdc	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCM3252	文件：286.73 Kbytes Page：2 Pages	DUAL-CHANNELFRONT-ENDDOCSIS2.0STBICWITHCHANNELBONDING	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
BCM3252KPBG	文件：286.73 Kbytes Page：2 Pages	DUAL-CHANNELFRONT-ENDDOCSIS2.0STBICWITHCHANNELBONDING	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
CA3252	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	QuadGatedNon-InvertingPowerDriver Description TheCA3252isusedtointerfacelow-levellogictohighcurrentloads.EachPowerDriverhasfourinvertingswitchesconsistingofaninvertinglogicinputstageandaninvertinglow-sidedriveroutputstage.Allinputsare5VTTL/CMOSlogiccompatibleandhaveacommonEnableinput	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CA3252E	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	QuadGatedNon-InvertingPowerDriver Description TheCA3252isusedtointerfacelow-levellogictohighcurrentloads.EachPowerDriverhasfourinvertingswitchesconsistingofaninvertinglogicinputstageandaninvertinglow-sidedriveroutputstage.Allinputsare5VTTL/CMOSlogiccompatibleandhaveacommonEnableinput	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CA3252M	文件：53.2 Kbytes Page：6 Pages	QuadGatedNon-InvertingPowerDriver Description TheCA3252isusedtointerfacelow-levellogictohighcurrentloads.EachPowerDriverhasfourinvertingswitchesconsistingofaninvertinglogicinputstageandaninvertinglow-sidedriveroutputstage.Allinputsare5VTTL/CMOSlogiccompatibleandhaveacommonEnableinput	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CEA3252	文件：989.77 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CEA3252	文件：139.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,5A,RDS(ON)=32m?@VGS=10V. RDS(ON)=45m?@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED3252	文件：111.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,25A,RDS(ON)=28m?@VGS=10V. RDS(ON)=39m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM3252	文件：362.49 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,7.5A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3252	文件：108.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,7.5A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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