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335PSB850K4R 電容器薄膜電容器 SIMCO-ION/依工斯諾科恩靜電

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  • 廠家型號：

    335PSB850K4R

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ILLINOIS

  • 庫存數(shù)量：

    296

  • 產(chǎn)品封裝：

    電容器

  • 生產(chǎn)批號：

    20+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2021-9-14 10:50:00

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原廠料號：335PSB850K4R品牌：ILLINOIS

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  • 芯片型號：

    335PSB850K4R

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ILLINOISCAPACITOR【伊利諾斯】詳情

  • 廠商全稱：

    Illinois Capacitor, Inc.

  • 中文名稱：

    伊利諾斯電容器股份有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    433.61 kb

  • 資料說明：

    Power semiconductor module protection - High pulse and rms current ??Multiple Leads

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    335PSB850K4R

  • 制造商：

    Cornell Dubilier / Illinois Capacitor

  • 類別：

    電容器 > 薄膜電容器

  • 系列：

    PSB

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±10%

  • 額定電壓 - AC：

    500V

  • 額定電壓 - DC：

    850V

  • 介電材料：

    聚丙烯（PP），金屬化

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向 - 4 引線

  • 大小 / 尺寸：

    2.264" 長 x 1.181" 寬（57.50mm x 30.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    1.772"（45.00mm）

  • 端接：

    PC 引腳

  • 引線間距：

    2.067"（52.50mm）

  • 應(yīng)用：

    高頻，開關(guān)；高脈沖，DV/DT；吸收電路

  • 描述：

    CAP FILM 3.3UF 10% 850VDC RADIAL

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