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IRLR120TRLPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRLR120TRLPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
613.11 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-10-28 18:33:00 |
IRLR120TRLPBF規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Surface Mount (IRLR120/SiHLR120)
? Straight Lead (IRLU120/SiHLU120)
? Available in Tape and Reel
? Logic-Level Gate Drive
? RDS(on)Specified at VGS= 4 V and 5 V
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLR120TRLPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
D-Pak |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
TO-252 |
64540 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
SILICONIX |
23+ |
NA |
1933 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
D-PAK |
19526 |
詢價(jià) | |||
IR |
2018+ |
TO252 |
6528 |
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詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
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72809 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
TO-252 |
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詢價(jià) | |||
VISHAY |
23+ |
TO-252 |
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詢價(jià) | ||
VishayIR |
24+ |
TO-252 |
7500 |
詢價(jià) | |||
IT |
22+ |
TO252 |
30000 |
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詢價(jià) |
