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3DD100E中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

3DD100E
廠商型號

3DD100E
功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor
文件大小

205.29 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 20:00:00
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晶體管資料

  • 型號：

    3DD100E

  • 別名：

    3DD100E三極管、3DD100E晶體管、3DD100E晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    行輸出 （HA）_場輸出 （VA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    350V

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    350

  • htest：

    999900

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    20

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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