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3DD103C

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DD103E

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    3DD103A

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    行輸出 (HA)_場輸出 (VA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    5

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多3DD103A供應商 更新時間2024-11-16 14:32:00