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3DD103C

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD103E

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多3DD103B(J)供應(yīng)商 更新時(shí)間2023-10-9 11:26:00