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3DD204

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=60V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=50~200(Min.)@IC=0.5A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.6V(Max)@IC=0.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    3DD204

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD177,BD935,BDT29A,R4922,2SD354,2SD880,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多3DD204供應(yīng)商 更新時間2023-10-9 11:26:00