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3DD303A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=40V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·DesignedforB/WTVverticaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD303B

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.6V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ?DesignedforB/WTVverticaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD303C

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ?DesignedforB/WTVverticaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多3DD303A-D供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 14:32:00