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3DF1C

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DF1A

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DF1B

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DF1D

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DF1E

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=200V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):1.5V(Max)@IC=0.25A APPLICATIONS ·Lowcurrenthighspeedswitchingapplications ·Lowpoweraudioamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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3DF1E

iscSiliconNPNPowerTransistor

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

3DF1F

iscSiliconNPNPowerTransistor

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無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    3DF1C

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    200V

  • 最大電流允許值:

    1.5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    10W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    10

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多3DF1C供應商 更新時間2024-11-12 15:00:00