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3N191_TO-78中文資料MICROSS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

3N191_TO-78
廠商型號(hào)

3N191_TO-78

功能描述

a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet

文件大小

295.26 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Micross Components
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MICROSS

中文名稱

Micross Components官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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3N191_TO-78規(guī)格書詳情

The 3N191 is a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet

The 3N191 is a dual enhancement mode P-Channel Mosfet and is ideal for space constrained applications and those requiring tight electrical matching.

The hermetically sealed TO-78 package is well suited for high reliability and harsh environment applications.

3N191 Features:

? Very high Input Impedance

? High Gate Breakdown Voltage

? Low Capacitance

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    3N191_TO-78

  • 制造商:

    MICROSS

  • 制造商全稱:

    MICROSS

  • 功能描述:

    a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MURATA/村田
24+
SMD
6500
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24+
4000
詢價(jià)
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5000
原裝正品,假一罰十
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MOT
2023+
CAN4
50000
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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24+
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詢價(jià)

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