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3N65KG-TMS4-T

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC3N65K-MKisahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFETdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedinhighspeedswitchingapplicat

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更多3N65KG-TMS4-T供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 14:02:00

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