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3SK165A-1

GaAs N-channel Dual Gate MES FET

Description The3SK165AisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingcellular,cordlessphone. Features ?Lowvoltageoperation ?Lownoise:NF=1.2dB(typ.)at800MHz ?Highgain:Ga

SonySony Corporation

索尼

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更多3SK165A-1供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 10:59:00

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