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3SK263-5-TG-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

3SK263-5-TG-E
廠商型號

3SK263-5-TG-E

參數(shù)屬性

3SK263-5-TG-E 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 15V 200MHZ CP4

功能描述

N-Channnel Dual Gate MOSFET
FET RF 15V 200MHZ CP4

封裝外殼

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

718.8 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 22:30:00

3SK263-5-TG-E規(guī)格書詳情

3SK263-5-TG-E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的3SK263-5-TG-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    3SK263-5-TG-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    200MHz

  • 增益:

    21dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    2.2dB

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-CP

  • 描述:

    FET RF 15V 200MHZ CP4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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