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3SK319YB-TL-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

3SK319YB-TL-E
廠商型號(hào)

3SK319YB-TL-E

功能描述

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier

文件大小

100.46 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:01:00

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3SK319YB-TL-E規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Low noise characteristics;

(NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz)

? Excellent cross modulation characteristics

? Capable low voltage operation; +B= 5V

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    3SK319YB-TL-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.02A 4-Pin(3+Tab) MPAK T/R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
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