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40N03J	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
40N03P	文件：128.75 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercialandindustrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssu	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
40N03P	文件：1.27713 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
ADM40N03E	文件：576.52 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM40N30EusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)with	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛德微愛德微(深圳)電子有限公司	ADV
ADM40N03Z	文件：424.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM40N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛德微愛德微(深圳)電子有限公司	ADV
AP40N03GJ-HF	文件：102.8 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingCharacteristicRoHSCompliant&Halogen-Free	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP40N03GP	文件：982.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP40N03GP	文件：106.24 Kbytes Page：4 Pages	LowGateChargeSimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplica	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP40N03GS	文件：80.86 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP40N03S	文件：78.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
DTL40N03	文件：267.26 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTL40N03	文件：1.73654 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU40N03	文件：289.81 Kbytes Page：9 Pages	TrenchFET?PowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU40N03	文件：1.97535 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
FM40N03	文件：86.55 Kbytes Page：4 Pages	40A03VNChannelMosfet	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
GE40N03	文件：255.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GE40N03	文件：251.39 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS30V RDS(ON)17m? ID40A Description TheGE40N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuite	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI40N03	文件：241.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS30V RDS(ON)21m? ID36A Description TheGI40N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.Thethrough-holeversion(TO-251)isavailableforlow-profileapplicationsandsuitedforlowv	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ40N03	文件：242.23 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GU40N03	文件：283.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET BVDSS30V RDS(ON)17m? ID40A Description TheGU40N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-263packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicat	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	40N03L	INFINEON	23+	TO-251/252	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
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