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40T65FDSC	文件：1.88982 Mbytes Page：8 Pages	650V Field Stop IGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
AFGB40T65RQDN	文件：248.65 Kbytes Page：10 Pages	IGBTforAutomotiveApplications650V,40A UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof FS4IGBTsoffertheoptimumperformanceforautomotive applications.ThistechnologyisShortcircuitratedandoffershigh figureofmeritwithlowconductionandswitchinglosses. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=17	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGB40T65SQDN	文件：271.44 Kbytes Page：9 Pages	IGBTforAutomotiveApplications,650V,40A,D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGB40T65SQDN	文件：310.98 Kbytes Page：10 Pages	IGBTforAutomotiveApplications,650V,40A,D2PAK Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175?C ?HighSpeedSwitchingSeries ?VCE(sat)=1.6V(Typ.)@IC=40A ?100%ofthePartareDynamicallyTested(Note1) ?AEC?Q101Qualified ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoard	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65RQDN	文件：336.02 Kbytes Page：9 Pages	IGBTforAutomotiveApplication650V,40A UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof FS4IGBTsoffertheoptimumperformanceforautomotive applications.ThistechnologyisShortcircuitratedandoffershigh figureofmeritwithlowconductionandswitchinglosses. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=17	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SPD	文件：455.16 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V Description Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, AFGHL40T65SPDofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whichprovides50Vhigherblockingvoltage andruggedhighcurrentswi	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SPD	文件：407.28 Kbytes Page：10 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SQ	文件：255.16 Kbytes Page：8 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SQD	文件：268.72 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGA40T65SHD	文件：228.39 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop3rdgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFCapplicationswhere lowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaximumJunc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SP	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：370.79 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·MotorDriver ·AutomotiveChargers ·OnboardCharge ·AirConCompressor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FGB40T65SPD	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SH	文件：480.04 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHD	文件：1.27362 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHDF	文件：503.73 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop3rdgenerationIGBTsoffersuperiorconduction andswitchingperformanceandeasyparalleloperation.Thisdevice iswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchas inductionhea	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SPD	文件：585.45 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SQD	文件：937.77 Kbytes Page：11 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SQD	文件：671.38 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop4thgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaxJuncti	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65UPD	文件：366.77 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·HighInputImpedance ·HighCurrentCapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.65V(Typ.)@IC=40A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多40T65FDSC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 10:34:00

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