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UPD41256C-10

262144X1-BITDYNAMICNMOSRAM

Description TheμPD41256isa262,144-wordby1-bitdynamicRAMdesignedtooperatefromasingle+5-voltpowersupplyandfabricatedwithadoublepolylayer,N-channel,silicon-gateprocessforhighdensity,highperformance,anshighreliability.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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更多41256C-10供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 8:00:00

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