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CEM4435A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-8A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=33m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

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更多4435D供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 15:43:00

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