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4N25中文資料QT數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

4N25
廠商型號(hào)

4N25

功能描述

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

文件大小

610.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 QT Brightek (QTB)
企業(yè)簡(jiǎn)稱

QT

中文名稱

QT Brightek (QTB)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-11 22:50:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    4N25

  • 功能描述:

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型:

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓:

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:

    0.4 V

  • 絕緣電壓:

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓:

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流:

    60 mA

  • 最大集電極電流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作溫度:

    + 110 C

  • 最小工作溫度:

    - 55 C

  • 封裝/箱體:

    DIP-4

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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