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4N36中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

4N36
廠商型號(hào)

4N36
功能描述

The 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38 series combine an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to a silicon planar phototransistor detector in a plastic DIP6 package with different lead forming options.
文件大小

905.19 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW【友臺(tái)半導(dǎo)體】

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 15:00:00

4N36規(guī)格書詳情

Features

* High isolation 5000 VRMS

* DC input with transistor output

* Operating temperature range - 55 °C to 110 °C

* RoHS & REACH Compliance

* MSL class 1

* UL-approved: UL1577, File No.E492440

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    4N36

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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