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4X16E43V	文件：598.34 Kbytes Page：9 Pages	4 MEG x 16 EDO DRAM [MEMPHIS] GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsare	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC

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4X16E43V

文件：598.34 Kbytes

Page：9 Pages

4 MEG x 16 EDO DRAM

[MEMPHIS] GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsare

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ETC

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型號(hào)：
4X16E43V
功能描述：
4 MEG x 16 EDO DRAM

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	4X16KTW-SS	RAMSUSA	23+	SSOP	9980	價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢	詢價(jià)
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標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司	4X2901B	4X2901B		4	4		詢價(jià)
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更多4X16E43V供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 16:06:00

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