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5082-2835分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

5082-2835
廠商型號

5082-2835

參數(shù)屬性

5082-2835 封裝/外殼為DO-204AH,DO-35,軸向;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:RF DIODE SCHOTTKY 8V 150MW AXIAL

功能描述

Schottky Barrier Diodes for General Purpose Applications

文件大小

56.87 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Agilent(Hewlett-Packard)
企業(yè)簡稱

HP安捷倫科技

中文名稱

安捷倫科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-4 8:02:00

5082-2835規(guī)格書詳情

Description

The 1N5711, 1N5712, 5082-2800/10/11 are passivated Schottky barrier diodes which use a patented “guard ring” design to achieve a high breakdown voltage. Packaged in a low cost

glass package, they are well suited for high level detecting, mixing, switching, gating, log or A-D converting, video detecting, frequency discriminating, sampling, and wave shaping.

Features

? Low Turn-On Voltage As Low as 0.34 V at 1 mA

? Pico Second Switching Speed

? High Breakdown Voltage Up to 70 V

? Matched Characteristics Available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    5082-2835

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    肖特基 - 單

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    8V

  • 不同?Vr、F 時電容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作溫度:

    -60°C ~ 150°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    DO-204AH,DO-35,軸向

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 8V 150MW AXIAL

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