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50P06

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

50P06

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

50P06

P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

50P06

-50A, -60V P-CHANNEL (D-S) POWER MOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

50P06

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

50P06

Isc P-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BR50P06

P-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

FIR50P06PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FQD50P06

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

HM50P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM50P06K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM50P06K

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=-60V,ID=-50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

ISC50P06

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motorcontrolanddrive ·Batterymanagement ·GenaralPowerSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LMAK50P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

ME50P06

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

NP50P06KDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP50P06KDG

-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17m?Max.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-25A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=50

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP50P06SDG

-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=16.5m?Max.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23.0m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-25A) ?Lowinputcapacitance:Ciss

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

SQD50P06

AutomotiveP-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SQM50P06

AutomotiveP-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBsemi/臺灣微碧
21+
TO-252-2
5000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
VISHAY/威世
23+
TO-252
5000
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳
 詢價
VBsemi
22+
TO252
25000
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
 詢價
VBsemi
21+
TO252
10065
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
VBsemi
2201+
TO252
2746
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
CCSEMI/芯能圓
23+
NA/
8250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
 詢價
NEC
2023+
TO-252
8700
原裝現(xiàn)貨
 詢價
CCSEMI/芯能圓
23+
TO-252
50000
原裝正品 支持實單
 詢價
24+
N/A
78000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
更多50P06供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 17:24:00

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