55GN01C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
55GN01C |
參數(shù)屬性 | 55GN01C 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP |
功能描述 | UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
46.03 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Sanyo Semicon Device |
企業(yè)簡稱 |
SANYO【三洋】 |
中文名稱 | 三洋電機株式會社官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-15 23:20:00 |
55GN01C規(guī)格書詳情
UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications
Features
? High cutoff frequency : fT= 5.5GHz typ.
? High gain : |S21e|2=9.5dB typ (f=1GHz).
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
55GN01CA-TB-E
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
10V
- 頻率 - 躍遷:
4.5GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.9dB @ 1GHz
- 增益:
9.5dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
70mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
3-CP
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
14+ |
SOT-23 |
3000 |
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SOT23 |
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SANYO |
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SOT23 |
20000 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
CP3 |
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SANYO |
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