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55GN01C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

55GN01C
廠商型號

55GN01C

參數(shù)屬性

55GN01C 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

功能描述

UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

46.03 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Sanyo Semicon Device
企業(yè)簡稱

SANYO三洋

中文名稱

三洋電機株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-15 23:20:00

55GN01C規(guī)格書詳情

UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications

Features

? High cutoff frequency : fT= 5.5GHz typ.

? High gain : |S21e|2=9.5dB typ (f=1GHz).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    55GN01CA-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益:

    9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-CP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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