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5962R2220102VXC

TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3-A, 2.5-A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1Features ?RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergytransfer(LET) =75MeV-cm2/mg –Single-eventtran

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

5962R2220102VXC

TPS7H60x3-SP Radiation-Hardness-Assured 1.3A, 2.5A, Half Bridge GaN FET Gate Drivers

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更多5962R2220102VXC供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 15:00:00

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