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5962R2220105PYE

TPS7H60x5-SP and TPS7H60x5-SEP Radiation-Hardness-Assured Half Bridge GaN FET Gate Drivers

1Features ?RadiationPerformance: –Radiation-hardness-assurance(RHA)upto totalionizingdose(TID)of100krad(Si) –Single-eventtransient(SET),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immuneto linearenergytransfer(LET)=75MeV-cm2/mg –Single-eventtran

TI1Texas Instruments

德州儀器

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更多5962R2220105PYE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 10:36:00

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