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6116LA25SOGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
6116LA25SOGI8	文件：87.67 Kbytes Page：11 Pages	High-speed access and chip select times	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
6116LA25SOGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT6116LA25P	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25PI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25SO	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25SOI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25TDB	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25TP	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25TPI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25Y	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT6116LA25YI	文件：111.94 Kbytes Page：11 Pages	CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT) DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
6116LA25SOGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
16Kb（2K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
25ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
24-SOIC
描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
瀚佳科技(深圳)有限公司	6116LA25SOGI	IDT, Integrated Device Technol	24+	24-SOIC	56200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	6116LA25SOGI	IDT	1931+	N/A	1186	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	6116LA25SOGI	RENESAS(瑞薩)/IDT	2117+	SOIC-24	315000	310個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期	詢價
深圳市科雨電子有限公司	6116LA25SOGI	IDT	20+	SOP-24	310	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價
深圳市冠億通科技有限公司	6116LA25SOGI	Renesas	21+		25000	原廠原包深圳現(xiàn)貨主打品牌假一賠百可開票!	詢價
訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司	6116LA25SOGI	RENESAS(瑞薩)/IDT	2021+	SOIC-24	499		詢價
萬三科技(深圳)有限公司	6116LA25SOGI	RENESAS(瑞薩電子)	22+	NA	500000	萬三科技,秉承原裝,購芯無憂	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	6116LA25SOGI	IDT	22+	NA	1186	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	6116LA25SOGI	IDT	22+	24SOIC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	6116LA25SOGI	IDT	21+	24SOIC	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價

更多6116LA25SOGI供應(yīng)商更新時間2024-12-27 15:41:00

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