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ADRF6601

750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADRF6601

1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

ADRF6601-EVALZ

750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AN-6601

LowNoiseJFETAmplifiers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

AO6601

ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AO6601

N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AO6601

30VComplementaryMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AO6601

ComplementaryTrenchMOSFET

■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

AO6601

NPChannelMOSFET

Features N-Ch: *VDS(V)=30V *ID=3.4A(VGS=10V) *RDS(ON)60m(VGS=10V) *RDS(ON)70m(VGS=4.5V) *RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: *VDS(V)=-30V *ID=-2.3A(VGS=-10V) *RDS(ON)115m(VGS=-10V) *RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) *RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

AO6601

NPChannelMOSFET

GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsformahigh-speedpower inverter,suitableforamultitudeofapplications. Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多6601ACB供應(yīng)商 更新時間2025-3-20 16:25:00

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