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IRF6608TR1

ApplicationSpecificMOSFETs

Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRF

International Rectifier

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更多6608TR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 14:00:00

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