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AP6680AGM	文件：202.16 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6680BGM-HF	文件：99.03 Kbytes Page：4 Pages	LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6680BGMT	文件：74.56 Kbytes Page：6 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6680BGYT-HF	文件：101.82 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6680CGYT-HF	文件：64.97 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6680GM	文件：85.55 Kbytes Page：6 Pages	LowOn-Resistance,HighVgsMaxRatingVoltage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6680SGYT-HF	文件：65.67 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
BA6680FS	文件：280.03 Kbytes Page：3 Pages	Three-phasemotorpre-driverforLBP Description BA6680FSisathree-phasemotorpre-driver.PWMdrivingsystemisadoptedinthisICaswellasincorporationofaboostertodriveN-channel(upperandlower)MOSFET.Currentlimit,FGamplifier,FGhysteresisamplifierandcharge-pumpareincorporatedasotherfunctions. Fea	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
EM6680	文件：1.90782 Mbytes Page：58 Pages	UltraLowPower8-pinMicrocontroller	EMMICRO EM Microelectronic - MARIN SA	EMMICRO
FDD6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680	文件：199.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ?46A,30VRDS(ON)=10mΩ@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680	文件：121.05 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ?46A,30VRDS(ON)=10mΩ@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680	文件：330.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDD6680A	文件：200.47 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680A	文件：126.83 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680A	文件：331.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDD6680A	文件：1.04329 Mbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features ?VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6680AS	文件：123.02 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6680ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6680ASincludesanintegratedSchottkydiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680AS	文件：332.08 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrench?SyncFET?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6680AS	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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