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6EDM2003L06集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

6EDM2003L06
廠(chǎng)商型號(hào)

6EDM2003L06

參數(shù)屬性

6EDM2003L06 包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR BARE DIE

功能描述

Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product
IC GATE DRVR BARE DIE

文件大小

539.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 11:20:00

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6EDM2003L06規(guī)格書(shū)詳情

6EDM2003L06屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的6EDM2003L06柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

1.1 Features

? Thin-film-SOI-technology

? Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V

given by SOI-technology

? Maximum blocking voltage +600V

? Power supply of the high side drivers via boot strap

? Integrated bootstrap functionality

? Separate control circuits for all six drivers

? CMOS and LSTTL compatible input (positive logic)

? Signal interlocking of every phase to prevent cross-conduction

? Detection of over-current and under-voltage supply

? 'shut down' of all switches during error conditions

? 65μs delay for fault clear after over current detection

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    6EDM2003L06F06X1SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    IC GATE DRVR BARE DIE

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