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6R190P6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	6R190P6
功能描述	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
文件大小	3.10731 Mbytes
頁面數(shù)量	19 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-6 13:00:00

Description

CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower

MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand

pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe

experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.

TheoffereddevicesprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFET

whilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconduction

lossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,

lighterandcooler.

Features

?IncreasedMOSFETdv/dtruggedness

?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

?Veryhighcommutationruggedness

?Easytouse/drive

?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound

?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20

andJESD22)

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