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7009L20PFI

Package：100-LQFP；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7009L20PFI8

Package：100-LQFP；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7009L20PFG

HIGH-SPEED128Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7009L20PFG

HIGH-SPEED128Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

FEATURES ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneousreadsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT7009L Active:1W(typ.) Standby:1mW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7009L20PFGI

HIGH-SPEED128Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7009L20PFGI

HIGH-SPEED128Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

FEATURES ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneousreadsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT7009L Active:1W(typ.) Standby:1mW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT7009L20PF

HIGH-SPEED128Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

FEATURES ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneousreadsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT7009L Active:1W(typ.) Standby:1mW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT7009L20PFI

HIGH-SPEED128Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

FEATURES ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneousreadsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT7009L Active:1W(typ.) Standby:1mW(typ.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    7009L20PFI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多7009L20PFI供應商 更新時間2025-2-3 10:02:00

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