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MMIS70H900Q

700V1.4(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMIS70H900QTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MMIS70H900QTH

700V1.4(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70H900Q供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 16:27:00