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70P245L65BYGI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

70P245L65BYGI
廠商型號(hào)

70P245L65BYGI

參數(shù)屬性

70P245L65BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA;包裝為托盤(pán);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100CABGA

功能描述

VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

100-TFBGA

文件大小

442.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-28 17:01:00

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70P245L65BYGI規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ One port with dedicated time-muliplexed address/data

(ADM) interface

◆ One port configurable to standard SRAM or time-multiplexed

address/data interface

◆ High-speed access

– Industrial: 65ns (max.), ADM mode

– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode

◆ Low-power operation

IDT70P265/255/245L

Active: 27mW (typ.)

Standby: 3.6μW (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70P245L65BYGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    64Kb(4K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    65ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-CABGA(6x6)

  • 描述:

    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100CABGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IDT
25+
BGA
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
IDT, Integrated Device Technol
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RENESAS(瑞薩電子)
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500000
萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂
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Integrated Device Technology
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原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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IDT, Integrated Device Technol
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Renesas Electronics America In
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100-TFBGA
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獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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CABGA100(6x6)
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