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70P265L65BYGI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70P265L65BYGI
廠商型號

70P265L65BYGI

參數(shù)屬性

70P265L65BYGI 封裝/外殼為100-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA

功能描述

VERY LOW POWER 1.8V 16K/8K/4K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

100-TFBGA

文件大小

442.33 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-24 22:52:00

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70P265L65BYGI規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ One port with dedicated time-muliplexed address/data

(ADM) interface

◆ One port configurable to standard SRAM or time-multiplexed

address/data interface

◆ High-speed access

– Industrial: 65ns (max.), ADM mode

– Industrial: 40ns (max.), Standard SRAM mode

◆ Low-power operation

IDT70P265/255/245L

Active: 27mW (typ.)

Standby: 3.6μW (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    70P265L65BYGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲容量:

    256Kb(16K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    65ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-CABGA(6x6)

  • 描述:

    IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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