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70P265L65BYGI8 集成電路(IC)存儲器 IDT
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
70P265L65BYGI8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
256Kb(16K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
65ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-TFBGA
- 供應商器件封裝:
100-CABGA(6x6)
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PAR 100CABGA
供應商
- 企業(yè):
深圳廊盛科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機:
18682365538
- 詢價:
- 電話:
18682365538
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室
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