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70T3519S133BCI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
70T3519S133BCI |
參數(shù)屬性 | 70T3519S133BCI 封裝/外殼為256-LBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
文件大小 |
619.67 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
30 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-16 22:59:00 |
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更多70T3519S133BCI規(guī)格書詳情
Features:
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed data access
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
◆ Counter enable and repeat features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
70T3519S133BCI屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70T3519S133BCI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
70T3519S133BCI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,同步
- 存儲容量:
9Mb(256K x 36)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
256-CABGA(17x17)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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