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70T3519S133BCI8集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

70T3519S133BCI8
廠商型號(hào)

70T3519S133BCI8

參數(shù)屬性

70T3519S133BCI8 封裝/外殼為256-LBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

文件大小

619.67 Kbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-16 22:59:00

70T3519S133BCI8規(guī)格書詳情

Features:

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed data access

– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz)(max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

◆ Counter enable and repeat features

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

◆ Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

70T3519S133BCI8屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70T3519S133BCI8存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70T3519S133BCI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,同步

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    256-CABGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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