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70T3519S200BC集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
70T3519S200BC |
| 參數(shù)屬性 | 70T3519S200BC 封裝/外殼為256-LBGA；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
619.67 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
30 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱(chēng) | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-4 10:18:00 |
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Features:
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed data access
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
◆ Counter enable and repeat features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
70T3519S200BC
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
- 存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
1931+ |
N/A |
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IDT |
22+ |
NA |
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70000 |
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