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70T3599S133DR

Package：208-BFQFP；包裝：托盤(pán) 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70T3599S133DRG

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRG

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRG8

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRG8

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRGI

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRGI

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRGI8

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3599S133DRGI8

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70T3599S133BC

HIGH-SPEED2.5V256/128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    70T3599S133DR

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-BFQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    208-PQFP（28x28）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70T3599S133DR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 10:03:00

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