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70T633S10BC8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
70T633S10BC8 |
| 參數(shù)屬性 | 70T633S10BC8 封裝/外殼為256-LBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
513.809 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 23:00:00 |
70T633S10BC8規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
70T633S10BC8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲容量：
9Mb（512K x 18）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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詢價(jià) | ||
IDT(Renesas收購) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
IDT |
24+ |
14-VQFN |
58000 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
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6000 |
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詢價(jià) | ||
IDT |
23+ |
NA |
9376 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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CABGA-256(17x17) |
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IDT |
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Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
256-LBGA |
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2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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詢價(jià) |
