70T633S10BCI 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technol

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廠家型號(hào)：
70T633S10BCI
產(chǎn)品分類：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
生產(chǎn)廠商：
IDT, Integrated Device Technol
庫(kù)存數(shù)量：
56200
產(chǎn)品封裝：
256-CABGA(17x17)
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2025-1-1 10:02:00

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原廠料號(hào)：70T633S10BCI品牌：IDT, Integrated Device Technol

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70T633S10BCI是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商IDT, Integrated Device Technol/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝256-CABGA(17x17)/256-LBGA的70T633S10BCI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號(hào)：
70T633S10BCI
規(guī)格書(shū)：
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企業(yè)簡(jiǎn)稱：
RENESAS【瑞薩】詳情
廠商全稱：
Renesas Technology Corp
中文名稱：
瑞薩科技有限公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
28 頁(yè)
文件大?。?/span>
513.809 kb
資料說(shuō)明：
HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
70T633S10BCI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤(pán)
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
存儲(chǔ)容量：
9Mb（512K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
10ns
電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商

企業(yè)：
瀚佳科技(深圳)有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
李小姐
手機(jī)：
13480654098/13827426716
詢價(jià)：
電話：
0755-23915992/23140719
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北佳和A座2120

70T633S10BCI 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technol

70T633S10BCI

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

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