70T633S10BCI8 集成電路（IC）存儲器 IDT, Integrated Device Technol

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1+	面議

廠家型號：
70T633S10BCI8
產品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產廠商：
IDT, Integrated Device Technol
庫存數量：
5280
產品封裝：
165-LBGA
生產批號：
21+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-1 13:02:00

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詳細信息
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原廠料號：70T633S10BCI8品牌：IDT, Integrated Device Technol

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70T633S10BCI8是集成電路（IC） > 存儲器。制造商IDT, Integrated Device Technol/Renesas Electronics America Inc生產封裝165-LBGA/256-LBGA的70T633S10BCI8存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
70T633S10BCI8
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
RENESAS【瑞薩】詳情
廠商全稱：
Renesas Technology Corp
中文名稱：
瑞薩科技有限公司
內容頁數：
28 頁
文件大?。?/span>
513.809 kb
資料說明：
HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

產品屬性

類型
描述
產品編號：
70T633S10BCI8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 雙端口，異步
存儲容量：
9Mb（512K x 18）
存儲器接口：
并聯
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供應商

企業(yè)：
深圳市斌騰達科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
趙小姐
手機：
13049883113
詢價：
電話：
0755-82815082
傳真：
0755-82815039
地址：
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)501棟518

70T633S10BCI8 集成電路（IC）存儲器 IDT, Integrated Device Technol

70T633S10BCI8

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