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70T633S12BC	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T633S12BC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T633S12BC8	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T633S12BCI	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T633S12BCI8	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T633S12BCG	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70T633S12BCG	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70T633S12BCGI	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70T633S12BCI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70T633S12BCI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
70T633S12BC
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
存儲(chǔ)容量：
9Mb（512K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
12ns
電壓 - 供電：
2.4V ~ 2.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	70T633S12BC	IDT, Integrated Device Technol	21+	100-LQFP	5280	進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	70T633S12BC	IDT, Integrated Device Technol	21+	256-CABGA(17x17)	56200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
深圳市芯祺盛科技有限公司	70T633S12BC	RENESAS(瑞薩)/IDT	1921+	CABGA-256(17x17)	3575	向鴻倉庫現(xiàn)貨,優(yōu)勢絕對(duì)的原裝!	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	70T633S12BC	IDT	1931+	N/A	1186	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
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深圳市科雨電子有限公司	70T633S12BC	IDT	20+	BGA-256	12	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
訊運(yùn)(深圳/上海)電子有限公司	70T633S12BC	RENESAS(瑞薩)/IDT	2021+	CABGA-256(17x17)	499		詢價(jià)
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深圳市易訊博科技有限公司	70T633S12BC	IDT	22+	NA	1186	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價(jià)
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更多70T633S12BC供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 15:52:00

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