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70T633S12BFGI8 集成電路（IC）存儲器 RENESAS/瑞薩

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原廠料號：70T633S12BFGI8品牌：RENESAS(瑞薩)/IDT

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70T633S12BFGI8是集成電路（IC） > 存儲器。制造商RENESAS(瑞薩)/IDT/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝CABGA-208(15x15)/208-LFBGA的70T633S12BFGI8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    70T633S12BFGI8

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    28 頁

  • 文件大?。?/span>

    513.809 kb

  • 資料說明：

    HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    70T633S12BFGI8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯祺盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃小姐

  • 手機(jī)：

    18218024427

  • 詢價：
  • 電話：

    18218024427

  • 傳真：

    086-0755-82569753

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈511

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