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70T651S10BFG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

70T651S10BFG
廠商型號(hào)

70T651S10BFG
參數(shù)屬性

70T651S10BFG 封裝/外殼為208-LFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208FPBGA
功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
文件大小

739.07 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

28 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-7 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    70T651S10BFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208FPBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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