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70T651S10DR_集成電路（IC） 存儲器-Renesas Electronics America Inc

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  • 廠家型號：

    70T651S10DR

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    208-BFQFP

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-12-29 10:00:00

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原廠料號：70T651S10DR品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP

70T651S10DR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝208-BFQFP的70T651S10DR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    70t651s10dr

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    70T651S10DR

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-BFQFP

  • 供應商器件封裝：

    208-PQFP（28x28）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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