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70T651S12BFGI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70T651S12BFGI
廠商型號

70T651S12BFGI

參數(shù)屬性

70T651S12BFGI 封裝/外殼為208-LFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

功能描述

HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

文件大小

431.37 Kbytes

頁面數(shù)量

29

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-7 23:00:00

70T651S12BFGI規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 10/12ns (max.)

◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write

cycles

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

◆ IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

70T651S12BFGI屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70T651S12BFGI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    70T651S12BFGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-LFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-CABGA(15x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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